| No. |
設備・装置の種類 |
装置の概要・条件 |
担当者・連絡先 |
備考 |
| 1 |
水力照射設備
(HR-1, 2) |
照射時間：10分～1サイクル
キャプセル外形(mm)：Φ32×150L
熱中性子束(m-2･s-1)：
HR-1 9.6×1017
HR-2 9.8×1017 |
利用施設管理課
山口 淳史
TEL: 029-282-5591 |
RI製造・放射化分析 |
| 2 |
気送照射設備
(PN-1, 2) |
照射時間：1分～20分
キャプセル外形(mm)：Φ33×95L
熱中性子束(m-2･s-1)：
PN-1 5.2×1017
PN-2 4.7×1017 |
放射化分析 |
| 3 |
放射化分析用照射設備
(PN-3) |
照射時間：5秒～20分
キャプセル外形(mm)：Φ17×30L
熱中性子束(m-2･s-1)：1.5×1017 |
放射化分析 |
| 4 |
回転照射設備
(DR-1)(*) |
照射時間：1サイクル～
キャプセル外形(mm)：
Φ130×1000L, Φ34×150L
熱中性子束(m-2･s-1)：3.0×1017 |
燃料・材料照射 |
| 5 |
垂直照射設備
(VT-1,
RG-1～4,
BR-1～4,
SH-1)(*) |
照射時間：1サイクル～
①キャプセル外形(mm)及び②熱中性子束(m-2･s-1)：
VT-1
①Φ55×900L, Φ34×150L ②3.0×1018
RG-1～4
①Φ55×900L, Φ34×150L ②2.0×1018
BR-1～4
①Φ40×900L, Φ34×150L ②2.0×1018
SH-1
①Φ90×1000L, Φ34×150L ②4.0×1017 |
燃料・材料照射 |
| 6 |
均一照射設備
(SI-1)(*) |
照射時間：1時間 ～ 1サイクル
キャプセル外形(mm)：φ160×740L
熱中性子束(m-2･s-1)：2.0×1017 |
半導体製造 |
* 回転照射設備、垂直照射設備及び均一照射設備の応募については要相談。 |
